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單晶硅片與多晶硅片的硬度大小關系
編輯:揚州市俊杰新能源材料有限公司   時間:2017-03-08

當接觸深度在20~32nm左右時,單晶硅片的接觸剛度與接觸深度成直線關系,硬度和彈性模量基本保持不變,此時所測得的是單晶硅片表面氧化層的硬度和彈性模量,分別約為10.2 GPa和140.3 GPa。當接觸深度在32~60nm左右時,單晶硅片的接觸剛度與接觸深度成非直線關系,硬度和彈性模量隨接觸深度急劇增加,表明單晶硅片表面氧化層的硬度和彈性模量受到了基體材料的影響。當接觸深度在60nm以上時,單晶硅片的接觸剛度與接觸深度成直線關系,硬度和彈性模量基本保持不變,測得值為單晶硅的硬度和彈性模量,分別約為12.5GPa和165.6GPa。

多晶硅片,是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時,硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核,如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒,則這些晶粒結合起來,就結晶成多晶硅。利用價值:從目前國際太陽電池的發展過程可以看出其發展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜)。它屬于排列無序,在自然界中相對更加穩定,硬度較低。多晶硅片的硬度是莫氏硬度7。單晶硅片是定向生長的,因此Si排列方向一致,有序,硬度相應會增加。

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