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多晶硅片與單晶硅片的性能差異對比
編輯:揚州市俊杰新能源材料有限公司   時間:2017-03-07

單多晶硅片性能對比
單晶硅片與多晶硅片在晶體品質、電學性能、機械性能方面有顯著差異。單晶和多晶的差別主要在于原材料的制備方面,單晶是直拉提升法,多晶是鑄錠方法,后端制造工藝只有一些細微差別。 

 晶體品質差異
硅片性質的差異性是決定單晶和多晶系統性能差異的關鍵。單晶硅片,是一種完整的晶格排列;多晶硅片,它是多個微小的單晶的組合,中間有大量的晶界,包含了很多的缺陷,它實際上是一個少子復合中心,因此降低了多晶電池的轉換效率。另一方面,單晶硅片的位錯密度和金屬雜質比多晶硅片小得多,各種因素綜合作用使得單晶的少子壽命比多晶高出數十倍,從而表現出轉換效率優勢。

電學性能差異
單晶硅片的少子壽命是明顯高于多晶硅片的。

轉換效率對比
影響轉換效率的3項主要參數是:Voc(開路電壓)、Isc(短路電流)、FF(填充因子),公式為:Eta=Voc×Isc×FF
從光電轉換效率參數分解來看,單晶硅片的電池的各項參數全面領先于多晶硅片的。

一般來講目前工藝下國內單晶電池量產效率是19.55%左右,做得好的話可以達到19.8%-19.9%,取決于它是三柵線還是四柵線;多晶電池量產效率一般是18.12%左右。

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